SWIRM系列短波红外显微镜是专为900–1700nm短波红外波段设计的显微成像设备,采用无限远校正光学系统,配备SWIR专用平场复消色差物镜(5×/10×/20×/50×可选,数值孔径0.14–0.65,工作距离10–37.5mm),搭配高功率LED同轴落射照明(波长1200/1300/1400/1550nm可选)及SWIR短波红外相机(33-500万像素,帧率61.9-753fps,支持视频模式和触发模式),可实现硅片内部缺陷检测、材料穿透成像等半导体制造、材料科学与工业检测场景领域。
一、产品概述
SWIRM系列短波红外显微镜是专为900–1700nm短波红外波段设计的显微成像设备,采用无限远校正光学系统,配备SWIR专用平场复消色差物镜(5×/10×/20×/50×可选,数值孔径0.14–0.65,工作距离10–37.5mm),搭配高功率LED同轴落射照明(波长1200/1300/1400/1550nm可选)及SWIR短波红外相机(33-500万像素,帧率61.9-753fps,支持视频模式和触发模式),可实现硅片内部缺陷检测、材料穿透成像等半导体制造、材料科学与工业检测场景领域。
二、性能特点
3、SWIR光子可穿透硅基材料,适用于表面缺陷无损检测
4、可根据客户相面要求选配BSM-T100VA、BSM-T180VB、BSM-T090VA(Customized)、BSM-T110VA(Customized)四种管镜方案
5、同轴落射式科勒照明,支持1550/1400/1300/1200nm LED光源
三、应用场景
1、失效分析:从芯片背面进行成像,定位晶体管级别的故障点
2、芯片内部缺陷检测:穿透硅衬底,直接观察芯片内部的污染缺陷、划痕、裂纹和金属键合线
3、硅基半导体Wafer、确化镉CdTe、确镉汞HgCdTe衬底无损红外检测
4、光伏检测:对太阳能硅片进行光致发光(PL)和电致发光(EL)特性检测
四、近红外物镜参数
|
品名 |
数值孔径 NA |
工作距离 WD(mm) |
焦距 f(mm) |
分辨率 R(um) |
物镜焦深 ±D.F.(um) |
FN (mm) |
重量 (g) |
|
M Plan Apo NIR 5X(选配) |
0.14 |
37.5 |
40 |
2.0 |
14 |
24 |
220 |
|
M Plan Apo NIR 10X |
0.26 |
30.5 |
20 |
1.1 |
4.1 |
24 |
250 |
|
M Plan Apo NIR 20X(选配) |
0.4 |
20 |
10 |
0.7 |
1.7 |
24 |
300 |
|
M Plan Apo NIR 50X(选配) |
0.42 |
17 |
4 |
0.7 |
1.6 |
24 |
315 |
|
M Plan Apo NIR 50X HR(选配) |
0.65 |
10 |
4 |
0.4 |
0.7 |
24 |
450 |
|
型号 |
传感器型号与尺寸 |
像素 |
G光灵敏度 暗电流 |
数据接口 |
FPS/分辨率 |
采样平均 |
曝光时间 外形尺寸 |
|
SWIR5000KMA(可选) |
5.0M/IMX992(M,GS) 1/1.4”(8.94x7.09) Built-in TEC |
3.45x3.45 |
51.5dB 48.5dB |
USB3 |
61.9@2560x2048 135.7@1280x1024 |
1x1 1x1 |
15us~60s 80mm |
|
SWIR3000KMA |
3.0M/IMX993(M,GS) 1/1.8”(7.07x5.3) Built-in TEC |
3.45x3.45 |
51.5dB 48.5dB |
USB3 |
93@2048x1536 176@1024x768 |
1x1 1x1 |
15us~60s 80mm |
|
SWIR1300KMA(可选) |
1.3M/IMX990(M,GS) 1/2”(6.40x5.12) Built-in TEC |
5x5 |
58.7dB 52.6dB |
USB3 |
200@1280x1024 392@640x512 |
1x1 1x1 |
15us~60s 80mm |
|
SSWIR330KMA(可选) |
0.33M/IMX991(M,GS) 1/4”(3.20x2.56) Built-in TEC |
5x5 |
58.7dB 52.6dB |
USB3 |
400@640x512 753@320x256 |
1x1 1x1 |
15us~60s 80mm |
六、软件介绍
5、支持Windows/Mac/Linux全平台覆盖,支持原生C/C++, C#/VB.Net, Directshow, Twain API