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小角度晶界比例比较大的情况是不是晶界滑移也比较多？

2021-07-22 新闻资讯

晶界滑动所属现代词，指的是高温下多晶体金属相邻晶粒在切应力作用下沿着晶粒间界的相对移动。高温下多晶体晶粒间界处的结合显著削弱，当受切应力作用时，晶粒发生沿着间界作相对的滑动而变形。晶界滑动速度相当缓慢，只有在蠕变条件下即温度高和应力低的情况下才显得重要。晶粒越小，单位体积内晶界面积越大，晶界滑动的作用就越大，即对总变形量的贡献就越大。

原标题：EBSD取向差集中在小角度区域能不能说晶界滑移比较多呢？

前篇回顾：相同的材料磁控溅射的速率和功率压强有关系吗？

请问EBSD取向差集中在小角度区域，也就是小角度晶界比例比较大的情况下能不能说晶界滑移也比较多呢？晶界滑移多了位错密度也就低了

不能说明。两者没有直接关联。小角度取向差比例高，间或说明形变区域，有时候也是强织构的表现。

为什么晶界滑移能减少位错呢？晶界滑移是细晶粒位错密度较低的原因

抱歉，不懂“晶界滑移能减少位错”这个说法。也不知道“晶界滑移是细晶粒位错密度较低的原因”什么意思。

Grain boundary sliding is recognized as the primary
mechanism during superplastic deformation of finegrained
materials

Grain boundary sliding accounts for the low dislocation density in grains
having sizes <250 nm.

这主要是在不同的晶粒尺度下变形协调机制的不同。我们知道传统的塑形变形主要通过位错在晶粒内的滑移来实现，可以认为大尺寸的晶粒给这种滑移提供了较广阔的空间使位错运动容易实现，成为首要的变形机制。而随着晶粒尺寸的下降到fine 或者ultrafine尺寸时，晶界在整个晶粒中的密度不断升高，由于晶界主要性质表现为对位错滑移的阻碍作用，从而使得晶粒中位错滑移变得越来越困难，位错密度不断降低，宏观上变现为材料的强度增大，即Hall-Patch效应，也是细晶强化的微观机理。一种变形机制变得困难，那么相应的另一种变形机制将被触发，即基于晶界自身的运动（包括晶界滑移，晶粒旋转，扩散蠕变，晶界位错等等），也就是说此时由位错运动和晶界运动共同来协调变形。这样你应该能明白你所提到的“晶界滑移能减少位错”“晶界滑移是细晶粒位错密度较低的原因”的说法

这是超塑性的变形机制，应该翻译为“晶界滑动”，“滑移”一般专指位错滑移；
超塑性模式的“”组织超塑性”前提是细晶组织；在载荷下微观晶界“刚性”“滑动”，同时依靠晶界扩散协调晶界，从而获得宏观变形；此时不明显涉及晶内位错运动，因为晶体在晶界处“刚性”滑动，原则上晶体不发生取向转动。